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S15MCHM6G

S15MCHM6G

僅供參考

型號 S15MCHM6G
PNEDA編號 S15MCHM6G
描述 DIODE GEN PURP 15A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,498
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S15MCHM6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S15MCHM6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S15MCHM6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 15A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 1000V
電容@ Vr,F93pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1800V

電流-平均整流(Io)

770A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.08V @ 400A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 1800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AA, A-PUK

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 85A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

-

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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-

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