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S1FLJ-M-18

S1FLJ-M-18

僅供參考

型號 S1FLJ-M-18
PNEDA編號 S1FLJ-M-18
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1FLJ-M-18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1FLJ-M-18
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1FLJ-M-18, S1FLJ-M-18數據表 (總頁數: 7, 大小: 115.06 KB)
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S1FLJ-M-18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F4pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

115pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 1600V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.62V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 2400V

電容@ Vr,F

-

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