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S1G M2G

S1G M2G

僅供參考

型號 S1G M2G
PNEDA編號 S1G-M2G
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1G M2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1G M2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S1G M2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 400V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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40V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 30V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 36A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

300mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 30mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 25V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1700V

電容@ Vr,F

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