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S1GL R3G

S1GL R3G

僅供參考

型號 S1GL R3G
PNEDA編號 S1GL-R3G
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 97,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1GL R3G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1GL R3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1GL R3G, S1GL R3G數據表 (總頁數: 4, 大小: 176.52 KB)
PDFS1JLR2G數據表 封面
S1JLR2G數據表 頁面 2 S1JLR2G數據表 頁面 3 S1JLR2G數據表 頁面 4

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S1GL R3G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F9pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

550A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

330A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.46V @ 942A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

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