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S1JBHR5G

S1JBHR5G

僅供參考

型號 S1JBHR5G
PNEDA編號 S1JBHR5G
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1JBHR5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1JBHR5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S1JBHR5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 30V

電容@ Vr,F

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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