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S1KW8C-1N

S1KW8C-1N

僅供參考

型號 S1KW8C-1N
PNEDA編號 S1KW8C-1N
描述 DIODE GEN PURP 8KV 4A MODULE
制造商 Semtech
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1KW8C-1N資源

品牌 Semtech
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1KW8C-1N
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1KW8C-1N, S1KW8C-1N數據表 (總頁數: 2, 大小: 59.44 KB)
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S1KW48C-6D數據表 頁面 2

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S1KW8C-1N規格

制造商Semtech Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)8000V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果8V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 8000V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

9A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

310mV @ 9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

7mA @ 15V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AR

工作溫度-結點

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制造商

Diodes Incorporated

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-15

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.6A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

42pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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