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S1M M2G

S1M M2G

僅供參考

型號 S1M M2G
PNEDA編號 S1M-M2G
描述 DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1M M2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1M M2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S1M M2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 1000V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

85ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

工作溫度-結點

175°C (Max)

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二極管類型

Schottky, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

75A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 75A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

390mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

66pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

SOD-123

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

170pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

400mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.2mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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