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S1MDFQ-13

S1MDFQ-13

僅供參考

型號 S1MDFQ-13
PNEDA編號 S1MDFQ-13
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1MDFQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1MDFQ-13
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1MDFQ-13, S1MDFQ-13數據表 (總頁數: 4, 大小: 412.35 KB)
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S1MDFQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F6pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝D-Flat
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 35mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150nA @ 16V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

145ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 400V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

600A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.31V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

400mV @ 10mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

電容@ Vr,F

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