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S1PBHM3/84A

S1PBHM3/84A

僅供參考

型號 S1PBHM3/84A
PNEDA編號 S1PBHM3-84A
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1PBHM3/84A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1PBHM3/84A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1PBHM3/84A, S1PBHM3/84A數據表 (總頁數: 5, 大小: 102.02 KB)
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S1PBHM3/84A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 100V
電容@ Vr,F6pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 100V

電容@ Vr,F

500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AR

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

63pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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400V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

170pF @ 4V, 1MHz

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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35V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

600pF @ 5V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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