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S1PDHE3/85A

S1PDHE3/85A

僅供參考

型號 S1PDHE3/85A
PNEDA編號 S1PDHE3-85A
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1PDHE3/85A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1PDHE3/85A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1PDHE3/85A, S1PDHE3/85A數據表 (總頁數: 5, 大小: 104.61 KB)
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S1PDHE3/85A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F6pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800nA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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1600V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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100V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 100V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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