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S25FL256SAGMFB003

S25FL256SAGMFB003

僅供參考

型號 S25FL256SAGMFB003
PNEDA編號 S25FL256SAGMFB003
描述 IC 256 MB FLASH MEMORY
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S25FL256SAGMFB003資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S25FL256SAGMFB003
類別半導體內存IC內存

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S25FL256SAGMFB003規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列Automotive, AEC-Q100, FL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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