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S25FS128SDSBHB203

S25FS128SDSBHB203

僅供參考

型號 S25FS128SDSBHB203
PNEDA編號 S25FS128SDSBHB203
描述 IC 128 MB FLASH MEMORY
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S25FS128SDSBHB203資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S25FS128SDSBHB203
類別半導體內存IC內存

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S25FS128SDSBHB203規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列Automotive, AEC-Q100, FS-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O, QPI
時鐘頻率80MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-BGA (8x6)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

MT41K512M8DA-093:P TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.066GHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

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IS61WV102416DALL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP I

AS7C351232-10BINTR

Alliance Memory, Inc.

制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (512K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

90-TFBGA (8x13)

AT27LV010A-15JC

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

150ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

32-PLCC (13.97x11.43)

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