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S25MR

S25MR

僅供參考

型號 S25MR
PNEDA編號 S25MR
描述 DIODE GEN PURP 1KV 25A DO220AA
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S25MR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S25MR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S25MR, S25MR數據表 (總頁數: 3, 大小: 771.59 KB)
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S25MR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)25A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 25A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3.5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

150mA @ 1800V

電容@ Vr,F

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