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S26KS256SDGBHV030

S26KS256SDGBHV030

僅供參考

型號 S26KS256SDGBHV030
PNEDA編號 S26KS256SDGBHV030
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S26KS256SDGBHV030資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S26KS256SDGBHV030
類別半導體內存IC內存

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S26KS256SDGBHV030規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列HyperFlash™ KS
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間96ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-VBGA
供應商設備包裝24-FBGA (6x8)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, MoBL

內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-VFBGA

供應商設備包裝

100-VFBGA (6x6)

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

1.125Gb (64Mb x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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