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S26KS512SDPBHI020

S26KS512SDPBHI020

僅供參考

型號 S26KS512SDPBHI020
PNEDA編號 S26KS512SDPBHI020
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 24FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 18,972
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S26KS512SDPBHI020資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S26KS512SDPBHI020
類別半導體內存IC內存

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S26KS512SDPBHI020規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列HyperFlash™ KS
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間96ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-VBGA
供應商設備包裝24-FBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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時鐘頻率

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技術

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內存大小

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時鐘頻率

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電壓-供電

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

CY7C1392CV18-200BZC

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

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