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S27KL0641DABHA033

S27KL0641DABHA033

僅供參考

型號 S27KL0641DABHA033
PNEDA編號 S27KL0641DABHA033
描述 IC 64 MB FLASH MEMORY
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S27KL0641DABHA033資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S27KL0641DABHA033
類別半導體內存IC內存

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S27KL0641DABHA033規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小64Mb (8M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間40ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-VBGA
供應商設備包裝24-FBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

SST26 SQI®

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

1.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UFDFN Exposed Pad

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

152-TBGA

供應商設備包裝

152-TBGA (14x18)

MT48H4M16LFF4-8

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

6ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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