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S27KL0641DABHV020

S27KL0641DABHV020

僅供參考

型號 S27KL0641DABHV020
PNEDA編號 S27KL0641DABHV020
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S27KL0641DABHV020資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S27KL0641DABHV020
類別半導體內存IC內存

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S27KL0641DABHV020規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列HyperRAM™ KL
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小64Mb (8M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間40ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-VBGA
供應商設備包裝24-FBGA (6x8)

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內存接口

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10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-SOIC

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-VFBGA

供應商設備包裝

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