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S29GL01GT10DHA020

S29GL01GT10DHA020

僅供參考

型號 S29GL01GT10DHA020
PNEDA編號 S29GL01GT10DHA020
描述 IC 1 GB FLASH MEMORY
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL01GT10DHA020資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL01GT10DHA020
類別半導體內存IC內存

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S29GL01GT10DHA020規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列*
內存類型-
內存格式-
技術-
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (9x9)

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

183MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

RAM

技術

PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2

內存大小

1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

121-WFBGA

供應商設備包裝

121-VFBGA (11x10)

制造商

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系列

MXSMIO™

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

30µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-VFBGA

供應商設備包裝

64-TFBGA (10.5x6.39)

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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