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S29GL01GT12DHVV10

S29GL01GT12DHVV10

僅供參考

型號 S29GL01GT12DHVV10
PNEDA編號 S29GL01GT12DHVV10
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,648
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL01GT12DHVV10資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL01GT12DHVV10
類別半導體內存IC內存

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S29GL01GT12DHVV10規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-T
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間120ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (9x9)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (8x10.5)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.1V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TSOT-23-5

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