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S29GL064N11WEI049

S29GL064N11WEI049

僅供參考

型號 S29GL064N11WEI049
PNEDA編號 S29GL064N11WEI049
描述 IC FLASH 64M PARALLEL WAFER
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 10 - 一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL064N11WEI049資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL064N11WEI049
類別半導體內存IC內存

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S29GL064N11WEI049規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-N
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小64Mb (8M x 8, 4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁110ns
訪問時間110ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Wafer

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

2µs

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Silicon Motion, Inc.

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內存類型

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

36-SOJ

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Micron Technology Inc.

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Micron Technology Inc.

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CY7C1325G-133AXC

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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