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S29GL512S10DHSS23

S29GL512S10DHSS23

僅供參考

型號 S29GL512S10DHSS23
PNEDA編號 S29GL512S10DHSS23
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL512S10DHSS23資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL512S10DHSS23
類別半導體內存IC內存

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S29GL512S10DHSS23規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間100ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (9x9)

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (9x9)

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.6ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

供應商設備包裝

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