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S29GL512S10FHSS20

S29GL512S10FHSS20

僅供參考

型號 S29GL512S10FHSS20
PNEDA編號 S29GL512S10FHSS20
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL512S10FHSS20資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL512S10FHSS20
類別半導體內存IC內存

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S29GL512S10FHSS20規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間100ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-Fortified BGA (13x11)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

120ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

28-EDIP

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15µs

訪問時間

70ns

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內存接口

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時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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1.2V

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

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