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S29GL512S11TFV010

S29GL512S11TFV010

僅供參考

型號 S29GL512S11TFV010
PNEDA編號 S29GL512S11TFV010
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL512S11TFV010資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL512S11TFV010
類別半導體內存IC內存

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S29GL512S11TFV010規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間110ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

1.5ms

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

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技術

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內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

32Gb (4G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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85ns

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