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S29GL512S12TFBV20

S29GL512S12TFBV20

僅供參考

型號 S29GL512S12TFBV20
PNEDA編號 S29GL512S12TFBV20
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL512S12TFBV20資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL512S12TFBV20
類別半導體內存IC內存

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S29GL512S12TFBV20規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間120ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存格式

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內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

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電壓-供電

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Surface Mount

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內存類型

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技術

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內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

80ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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