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S29GL512T13DHNV10

S29GL512T13DHNV10

僅供參考

型號 S29GL512T13DHNV10
PNEDA編號 S29GL512T13DHNV10
描述 IC FLASH 512M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL512T13DHNV10資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL512T13DHNV10
類別半導體內存IC內存

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S29GL512T13DHNV10規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-T
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間130ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (9x9)

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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安裝類型

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8-SOIC

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

Automotive, AEC-Q100, FL-L

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

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