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S29GL512T13DHNV23

S29GL512T13DHNV23

僅供參考

型號 S29GL512T13DHNV23
PNEDA編號 S29GL512T13DHNV23
描述 IC FLASH 512M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL512T13DHNV23資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL512T13DHNV23
類別半導體內存IC內存

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S29GL512T13DHNV23規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-T
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間130ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (9x9)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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