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S29PL064J60BAW122

S29PL064J60BAW122

僅供參考

型號 S29PL064J60BAW122
PNEDA編號 S29PL064J60BAW122
描述 IC FLASH 64M PARALLEL
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29PL064J60BAW122資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29PL064J60BAW122
類別半導體內存IC內存

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S29PL064J60BAW122規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列PL-J
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間60ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFBGA
供應商設備包裝48-FBGA (8.15x6.15)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH, PSRAM

內存大小

512Mb (32M x 16), 512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

25ns

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

80ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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