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S2B-E3/52T

S2B-E3/52T

僅供參考

型號 S2B-E3/52T
PNEDA編號 S2B-E3-52T
描述 DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 118,968
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S2B-E3/52T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S2B-E3/52T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S2B-E3/52T, S2B-E3/52T數據表 (總頁數: 4, 大小: 73.77 KB)
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S2B-E3/52T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 1.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 100V
電容@ Vr,F16pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

RA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

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