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S2DHM4G

S2DHM4G

僅供參考

型號 S2DHM4G
PNEDA編號 S2DHM4G
描述 DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S2DHM4G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S2DHM4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S2DHM4G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 200V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 70V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

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Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

60mA @ 1200V

電容@ Vr,F

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100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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