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S2M-TP

S2M-TP

僅供參考

型號 S2M-TP
PNEDA編號 S2M-TP
描述 DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S2M-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S2M-TP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S2M-TP, S2M-TP數據表 (總頁數: 4, 大小: 188.96 KB)
PDFS2K-TP數據表 封面
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S2M-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1000V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

14.95V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 12500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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速度

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5.6ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

55pF @ 4V, 1MHz

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