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S34ML04G200BHB000

S34ML04G200BHB000

僅供參考

型號 S34ML04G200BHB000
PNEDA編號 S34ML04G200BHB000
描述 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA
制造商 SkyHigh Memory Limited
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S34ML04G200BHB000資源

品牌 SkyHigh Memory Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S34ML04G200BHB000
類別半導體內存IC內存

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S34ML04G200BHB000規格

制造商SkyHigh Memory Limited
系列*
內存類型-
內存格式-
技術-
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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FLASH

內存大小

4Mb (256 Bytes x 2048 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

16Mb (512K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

54ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.75V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

512Kb (32K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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