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S34ML08G101BHI000

S34ML08G101BHI000

僅供參考

型號 S34ML08G101BHI000
PNEDA編號 S34ML08G101BHI000
描述 IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S34ML08G101BHI000資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S34ML08G101BHI000
類別半導體內存IC內存

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S34ML08G101BHI000規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列ML-1
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-BGA (11x9)

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內存接口

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時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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內存類型

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內存格式

FLASH

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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