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S34MS01G104BHI010

S34MS01G104BHI010

僅供參考

型號 S34MS01G104BHI010
PNEDA編號 S34MS01G104BHI010
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S34MS01G104BHI010資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S34MS01G104BHI010
類別半導體內存IC內存

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S34MS01G104BHI010規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列MS-1
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-BGA (11x9)

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內存接口

Single Wire

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

15ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (4G x 1)

內存接口

SPI

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C, Single Wire

時鐘頻率

125kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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內存大小

18Mb (256K x 72)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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