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S34MS02G200GHI000

S34MS02G200GHI000

僅供參考

型號 S34MS02G200GHI000
PNEDA編號 S34MS02G200GHI000_33
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 67BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,248
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S34MS02G200GHI000資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S34MS02G200GHI000
類別半導體內存IC內存

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S34MS02G200GHI000規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列MS-2
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱67-VFBGA
供應商設備包裝67-BGA (8x6.5)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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制造商

Adesto Technologies

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

7µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

137-TFBGA

供應商設備包裝

137-TFBGA (10.5x13)

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

40ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-FBGA (6x8)

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

120µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

47-VFBGA, CSBGA

供應商設備包裝

47-CBGA (7x10)

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