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S34MS02G200GHV003

S34MS02G200GHV003

僅供參考

型號 S34MS02G200GHV003
PNEDA編號 S34MS02G200GHV003_202
描述 IC FLASH 2G PARALLEL
制造商 SkyHigh Memory Limited
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S34MS02G200GHV003資源

品牌 SkyHigh Memory Limited
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S34MS02G200GHV003
類別半導體內存IC內存

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S34MS02G200GHV003規格

制造商SkyHigh Memory Limited
系列*
內存類型-
內存格式-
技術-
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

供應商設備包裝

SOT-23-5

PF58F0033M0Y1BFA

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

*

內存類型

-

內存格式

-

技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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63-VFBGA

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (128M x 64)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.3V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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