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S34MS04G100BHB000

S34MS04G100BHB000

僅供參考

型號 S34MS04G100BHB000
PNEDA編號 S34MS04G100BHB000_33
描述 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S34MS04G100BHB000資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S34MS04G100BHB000
類別半導體內存IC內存

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S34MS04G100BHB000規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列MS-1
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-VFBGA
供應商設備包裝63-BGA (11x9)

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訪問時間

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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15ns

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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