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S3760

S3760

僅供參考

型號 S3760
PNEDA編號 S3760
描述 DIODE GEN PURP 600V 85A DO5
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S3760資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S3760
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S3760, S3760數據表 (總頁數: 2, 大小: 78.92 KB)
PDFS3760數據表 封面
S3760數據表 頁面 2

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S3760規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)85A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 200A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.6V @ 15A

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

Die

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 70A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

1100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.44V @ 1500A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 70A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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