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S3BBHR5G

S3BBHR5G

僅供參考

型號 S3BBHR5G
PNEDA編號 S3BBHR5G
描述 DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S3BBHR5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S3BBHR5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S3BBHR5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

TS-1

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 20A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

電容@ Vr,F

968pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-2

供應商設備包裝

TO-247AC

工作溫度-結點

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制造商

ON Semiconductor

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 15V

電容@ Vr,F

16pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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180V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 180V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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