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S3BHE3_A/H

S3BHE3_A/H

僅供參考

型號 S3BHE3_A/H
PNEDA編號 S3BHE3_A-H
描述 DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 16,848
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S3BHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S3BHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S3BHE3_A/H, S3BHE3_A/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 84.81 KB)
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S3BHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 2.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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570mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 45V

電容@ Vr,F

639pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 300V

電容@ Vr,F

3pF @ 6V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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