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S3D M6G

S3D M6G

僅供參考

型號 S3D M6G
PNEDA編號 S3D-M6G
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S3D M6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S3D M6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S3D M6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

890mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

210µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220AB

工作溫度-結點

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Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.1V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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80V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 80V

電容@ Vr,F

2.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

0402 (1006 Metric)

供應商設備包裝

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