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S5J M6G

S5J M6G

僅供參考

型號 S5J M6G
PNEDA編號 S5J-M6G
描述 DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S5J M6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S5J M6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S5J M6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F60pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 200V

電容@ Vr,F

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

3000V

電流-平均整流(Io)

850A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.28V @ 850A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 3000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

175mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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