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S5KHE3_A/H

S5KHE3_A/H

僅供參考

型號 S5KHE3_A/H
PNEDA編號 S5KHE3_A-H
描述 DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S5KHE3_A/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S5KHE3_A/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S5KHE3_A/H, S5KHE3_A/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 81.43 KB)
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S5KHE3_A/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 100V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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80V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

9ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 80V

電容@ Vr,F

9pF @ 0.5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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50V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

18pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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