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S5MS-M3/9AT

S5MS-M3/9AT

僅供參考

型號 S5MS-M3/9AT
PNEDA編號 S5MS-M3-9AT
描述 DIODE GP 1KV 1.6A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S5MS-M3/9AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S5MS-M3/9AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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S5MS-M3/9AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1.6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1000V
電容@ Vr,F40pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9.495ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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SOD-123F

工作溫度-結點

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

3ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 50V

電容@ Vr,F

25pF @ 0V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 120V

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