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S6MR

S6MR

僅供參考

型號 S6MR
PNEDA編號 S6MR
描述 DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S6MR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S6MR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S6MR, S6MR數據表 (總頁數: 3, 大小: 781.81 KB)
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S6MR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 6A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 500V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerDI™ 5

供應商設備包裝

PowerDI™ 5

工作溫度-結點

-

MBR7560

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

75A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 75A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

EM 2BV

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制造商

Sanken

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1.2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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