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S79FL512SDSMFVG03

S79FL512SDSMFVG03

僅供參考

型號 S79FL512SDSMFVG03
PNEDA編號 S79FL512SDSMFVG03
描述 IC FLASH 512M SPI 80MHZ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S79FL512SDSMFVG03資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S79FL512SDSMFVG03
類別半導體內存IC內存

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S79FL512SDSMFVG03規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列FL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率80MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

288Mb (16M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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