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S8CJHM3/I

S8CJHM3/I

僅供參考

型號 S8CJHM3/I
PNEDA編號 S8CJHM3-I
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S8CJHM3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S8CJHM3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S8CJHM3/I, S8CJHM3/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 96.21 KB)
PDFS8CMHM3/I數據表 封面
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S8CJHM3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果985mV @ 8A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F79pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

50A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 25A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 25A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 200V

電容@ Vr,F

300pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

2.5µA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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