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SB1100-T

SB1100-T

僅供參考

型號 SB1100-T
PNEDA編號 SB1100-T
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 47,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SB1100-T資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SB1100-T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SB1100-T, SB1100-T數據表 (總頁數: 2, 大小: 59.08 KB)
PDFSB190-T數據表 封面
SB190-T數據表 頁面 2

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SB1100-T規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 125°C

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反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

120V

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30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.28V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 120V

電容@ Vr,F

-

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