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SB2J-M3/52T

SB2J-M3/52T

僅供參考

型號 SB2J-M3/52T
PNEDA編號 SB2J-M3-52T
描述 DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SB2J-M3/52T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SB2J-M3/52T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SB2J-M3/52T, SB2J-M3/52T數據表 (總頁數: 4, 大小: 90.37 KB)
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SB2J-M3/52T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)2A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.15V @ 2A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F16pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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60V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

690mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

60µA @ 650V

電容@ Vr,F

316pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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