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SB5100E-G

SB5100E-G

僅供參考

型號 SB5100E-G
PNEDA編號 SB5100E-G
描述 DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 23,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SB5100E-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SB5100E-G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SB5100E-G, SB5100E-G數據表 (總頁數: 2, 大小: 447.81 KB)
PDFSB5100E-G數據表 封面
SB5100E-G數據表 頁面 2

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SB5100E-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果850mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 100V
電容@ Vr,F500pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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