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SBAS21LT3G

SBAS21LT3G

僅供參考

型號 SBAS21LT3G
PNEDA編號 SBAS21LT3G
描述 DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 254,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SBAS21LT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SBAS21LT3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
SBAS21LT3G, SBAS21LT3G數據表 (總頁數: 8, 大小: 188.18 KB)
PDFSBAS21DW5T3G數據表 封面
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SBAS21LT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)250V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 200V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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100V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

30mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 30V

電容@ Vr,F

2.2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

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